近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世，该成果已达到国际先进水平。
碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达系统的核心。长期以来，国际上只有少数国家掌握该技术，并一直对我国进行技术封锁和产品禁运。
据了解，碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品。
4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料，它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心，并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。